DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory o Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio) es un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto tiempo, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. En oposición a este concepto surge el de memoria SRAM (RAM estática), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en semiconductores que, mientras siga alimentada, no necesita refresco.

Se usa principalmente como módulos de memoria principal RAM de ordenadores y otros dispositivos. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo.

Como el resto de memorias RAM, es volátil, es decir, si se interrumpe la alimentación eléctrica, la información almacenada se pierde. Fue inventada a finales de los sesenta y es una de las memorias más usadas en la actualidad.

La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento básico es: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre una superficie de silicio formando áreas que son visibles a simple vista.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir, se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas RAS (Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la dirección.

alonsojpd

alonsojpd

Presidente y fundador de Proyecto A y AjpdSoft

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